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1）焊接工艺对元器件耐温的要求电子元器件的耐热性能还包括耐焊接温度。而对于元器件耐焊接温度的要求，则需根据产品的组装工艺来确定，因为不同的焊接工艺对元器件的耐热能力要求是不同的。不同焊接工艺对元器件的耐热能力要求如下：①热风回流焊工艺：要求能在215～230℃温度下，承受至少10个焊接周期的加热。②波峰焊工艺：要求能在260℃温度下持续10s。③气相焊工艺：要求能在215℃下温度持续60s。④红外回流焊工艺：要求能在230℃温度下持续20s。因此在选用元器件时，应遵循与生产单位焊接设备相适应的原则。（2）元器件封装及内部连接工艺要求元器件耐高温性能，除与封装材料有关外，还与其内部连接方式有关。IC的内部连接方法有金丝球焊、超声压焊，还有倒装焊等方法，特别是BGA、CSP和组合式复合元器件、模块等新型元器件，其内部连接用材料通常采用表面组装用的相同焊料，连接工艺也是回流焊工艺，因此也要符合回流焊铅焊接的要求。（3）组装工艺对元器件的特殊耐温要求在电子元器件选用过程中，由于工艺制程原因，对元器件有特殊温度要求时，工艺人员应在选型之初提前与厂家沟通，达成一致意见，并将协商结果加入规格书。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！宁波批量电子元器件回收服务

⑤元器件的质量等级包括质量保证等级和失效等级。选型时应根据整机的可靠性要求和元器件保证大纲要求，选择元器件的质量保证等级，在保证整机可靠性的前提下，同时满足整机经济性的要求。⑥对于某些继承和冻结技术状态的军工及航天产品，不能由于冻结技术状态而长期使用技术落后、质量保证等级低甚至存在可靠性隐患的元器件。应在充分验证的前提下，积极选用技术先进、高可靠的元器件替代技术落后、质量保证等级低的元器件。三、电子元器件工艺选型要求目前，普遍使用的电子元器件从结构上可以分为有引线电子元器件和无引线电子元器件两种，安装方式多为表面。贴装、通孔插装、压接安装、螺纹连接和胶接。选用元器件时，应结合产品的结构特点，综合考虑元器件的装联方式、布局密度、组装厂的工艺和设备、元器件的可测试性、可更换性、可获得性、电磁兼容性等。此外，元器件本身的封装特点，包括引线间距、引线可焊性、耐受温度和压力的能力等也是工艺选型时应当注意的因素。元器件的尺寸要求与所选用的安装方式和工艺能力有关，同样的元器件尺寸，在不同安装方式与工艺能力下的可接受标准可能差距很大。元器件尺寸的工艺选型要求主要包括以下几个方面。。南通呆滞电子元器件回收公司上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，竭诚为您服务。

未来几年我国面对下游旺盛的需求新型电子元器件行业应提升技术水平扩大产能应对市场需求。第四节新型电子元器件进出口数据分析一、我国新型电子元器件进出口数据分析1、进口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件进口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理注：新型电子元器件海关代码为，从海关公布的信息来看我国新型电子元器件进口量呈现平稳态势没有大幅波动现象出现。2、出口分析图表：2015-2017年1-10月我国新型电子元器件出口统计数据来源：中国海关总署、中研普华数据整理从进出口数据不难看出我国是新型电子元器件出口大国出口量及金额都远高于进口数量，这从侧面反映出我国新型电子元器件在国际市场占有的地位。二、2018-2023年国内新型电子元器件产品进出口情况预测1、进口预测我国近几年新型电子元器件已经从技术上慢慢实现了追赶，在未来几年进口量还将进一步提高，随着国产化需求的增强，及自身生产产能及生产技艺的提升未来进口上可能增幅会有所回落，但是受我国近几年下游需求旺盛影响，短期内进口大幅回落的可能性较低，主要原因也是国内现有产能不足以完全满足下游发展。

主要在核对电子元器件生产厂家、规格、产地等要素的基础上，对产品的外包装进行核对与检查。如果在检查过程中发现电子元器件表面出现列横、凹凸、划痕等问题的话，则必须立即采取有效的措施予以解决，避免因为电子元器件损坏，而影响到电子系统的正常稳定运行。电参数检测必须严格按照要求检查电子元器件的外观和参数性能，主要是因为电子元器件参数性能的优良与否是影响电子元器件运行灵活性的关键。所以，工作人员在进行电子元器件性能的检测时，必须使用先进的通用测试仪器或者相关**设备完成电子元器件的检测。老化筛选电子元器件在经过长期的运行后，都会出现不同程度的老化现象。针对这一问题，工作人员应该及时的筛选出出现老化现象的电子元器件，避免因为电子元器件老化而导致线路运行事故的发生。我国常见的老化电子元器件筛选主要是利用模拟手段进行的，电子元器件老化筛选是通过对电子元器件施加热应力，电应力，机械应力等应力，暴露元器件内部缺陷，剔除早期失效产品，这种方法的应用为电路系统运行灵活性与可靠性的提升提供了强有力的支持。通过对导致电子元器件老化根源的分析后发现。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！

8)价格及供货保证选型时尽量选择量产的芯片，慎选样片阶段的芯片。9)仿真器和开发平台确认开发时所使用的仿真器以及软件开发平台，推荐公司已有的开发工具和开发平台支持的处理器。10)OS及开发工具确认处理器支持的OS以及BSP，以及提供开发用例的丰富程度。11)勘误资料查阅新版本的芯片勘误资料，确认芯片的限制使用条件。12)技术支持推荐**度高的半导体公司的产品，选择市面上使用较广、可利用的软硬件资源较多的芯片，尽量选择有厂家或者代理商技术支持的芯片。1)并行FLASH品牌推荐SPANSION、SST，SAMSUNG。2)串行FLASH品牌推荐ATMEL。品牌推荐ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。1)禁止选用并行的EEPROM。2)串行EEPROM品牌推荐ATMEL和MICROCHIP。3)新的产品禁止选用24LC65-I/SM。1)禁选拨码开关。2)电源开关推荐船形开关。3)触点电压和电流需降额使用。：3)额定电压：加载的电压≤额定电压*50％；4)额定电流：加载电流≤额定电流*50％。5)多芯连接器，额定电流降额使用（esp.大电流）。6)绝缘阻抗。7)抗电强度：单位时间所能耐的电压。8)接触电阻：指插针和插孔接触部分产生的电阻，高频、mV/mA级别时影响信号质量。9)镀层材料。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有想法可以来我司咨询！批量电子元器件回收网

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B）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。C）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化宁波批量电子元器件回收服务

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